兵器工業集團兩項技術入選2022年“科創中國”先導技術榜 |
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近(jin)日，中(zhong)國科協發布2022年“科創中(zhong)國”系列榜(bang)單遴(lin)選結果，中(zhong)國兵器工業集團微電(dian)子院“高性能MOEMS晶圓(yuan)制造(zao)技術(shu)”、西安近(jin)代化(hua)學研究所“原子層沉積（ALD）納米制造(zao)技術(shu)”入選“科創中(zhong)國”先導技術(shu)榜(bang)（產業基礎(chu)領域）。 高性能MOEMS晶圓制造技術 微電(dian)子院突破高性能(neng)MOEMS晶(jing)圓(yuan)制造系(xi)列關鍵技術(shu)，多項技術(shu)和(he)產(chan)品填補(bu)國內空白(bai)，建立(li)了國際先進、具有自主知識(shi)產(chan)權的技術(shu)體系(xi)，實現了光(guang)衰減器(qi)、光(guang)開關陣列、可(ke)調光(guang)濾波器(qi)、MOEMS掃(sao)描鏡等產(chan)品的研發生產(chan)，這些(xie)產(chan)品是光(guang)交叉、智能(neng)光(guang)束(shu)控制和(he)掃(sao)描成(cheng)像的核(he)心(xin)芯片，在5G通信、無人駕駛、智慧工業等領(ling)域(yu)具有廣闊(kuo)的應用前景，為國家發展戰略性新興產(chan)業提供重(zhong)要(yao)支撐(cheng)。 原子層沉積（ALD）納米制造技術 原子層沉(chen)積（ALD）是(shi)一種(zhong)先進(jin)的(de)薄膜沉(chen)積與納米結(jie)構制造技(ji)術，借助該技(ji)術可對物質表面組成及(ji)(ji)結(jie)構進(jin)行(xing)原子層面的(de)精確操縱(zong)，在材料(liao)表面引入特定的(de)物理(li)或化(hua)學(xue)性(xing)質，實現多種(zhong)納米材料(liao)的(de)高精度(du)可控合成。西安近代化(hua)學(xue)研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)所原子層沉(chen)積表面工(gong)程與納米制造技(ji)術團(tuan)隊具備開展ALD先進(jin)設備及(ji)(ji)工(gong)藝研(yan)發、高水(shui)平基礎研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)以及(ji)(ji)工(gong)程化(hua)應(ying)用能(neng)力，通過自主創新(xin)，初步實現了ALD先進(jin)設備及(ji)(ji)相關技(ji)術產業化(hua)，并且開創性(xing)地(di)將(jiang)ALD技(ji)術成功應(ying)用于多個研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)方向，成為(wei)推動我國(guo)ALD技(ji)術發展的(de)中堅力量。 據了(le)解，“科(ke)(ke)創中(zhong)國(guo)”榜單由中(zhong)國(guo)科(ke)(ke)協設(she)立，旨在(zai)通過優選引領人物、新(xin)銳企業及先導技(ji)術，引導探索技(ji)術服(fu)務與交易新(xin)業態、新(xin)組織、新(xin)模式，激活創新(xin)引領的合作動能，為實現高水平科(ke)(ke)技(ji)自(zi)立自(zi)強提供支(zhi)撐。 來源/微(wei)電子院(yuan)、西安近(jin)代化(hua)學研究所 |
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